回路線幅45ナノに塗布型絶縁膜
2007.09.14 Fri
JSRは、回路線幅が45ナノメートルの次世代半導体素子に対応した塗布型の絶縁膜材料を開発した。シリコン化合物を使う塗布型素材はこれまで強度に課題があったが、炭素の割合を上げることで、研磨やエッチングなどの加工でもひび割れなどを最小限に抑えることに成功した。今回の素材は絶縁性能を表す誘電率が2.4と、65ナノメートル対応製品に比べ絶縁性能が向上し、45ナノメートル対応製品に対応できる水準を確保したという。45ナノメートル向けは国内外のデバイスメーカーにサンプル出荷を行っており、2009年までに本格販売を予定している。回路線幅が45ナノメートルの半導体が量産されるのは2010年頃とみられている
http://nvc.nikkeibp.co.jp/report/tech/tech/20070914_000730.html
- 2007/09/14(金) 16:27:04|
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